| 专利名称 | 一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置 | 申请号 | CN201520281882.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204615149U | 公开（授权）日 | 2015.09.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 发明（设计）人 | 彭文翠;李敏;童昕 | 主分类号 | H01S5/024(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/024(2006.01)I | 专利有效期 | 一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置 至一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置，涉及一种半导体激光器技术领域。本装置的结构主要是：在水冷头的上面并列设置有第1半导体制冷片和第2半导体制冷片及激光管底座；在激光管底座的左侧壁中孔设置有半导体激光管，在激光管底座的上面设置有光栅底座；在光栅底座的左侧面设置有光栅；激光器外壳右侧壁中孔设置有橡胶软管，橡胶软管右端连接有氮气瓶。本装置不改变常温半导体激光器的基本机械结构，采用整体制冷、水冷散热以及通干燥气体的方式使激光器正常工作在低温下，使半导体激光管的工作波长移动达5nm，可行性强。 |
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