| 专利名称 | 一种抑制低能光电子共振电离产生负离子的装置 | 申请号 | CN201520140536.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204596746U | 公开（授权）日 | 2015.08.26 | 申请（专利权）人 | 广西电网有限责任公司电力科学研究院;中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 谭学园;侯可勇;唐彬;赵无垛;黄云光;李海洋;朱立平 | 主分类号 | H01J49/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J49/06(2006.01)I;H01J49/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抑制低能光电子共振电离产生负离子的装置 至一种抑制低能光电子共振电离产生负离子的装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及质谱分析的电离装置技术领域，具体涉及一种抑制低能光电子共振电离产生负离子的装置，包括紫外光源、推斥电极，聚焦电极，磁铁环，引出电极，金属孔电极和金属栅网，利用紫外光源照射金属孔电极表面产生光电子，通过在金属孔电极表面设置一个金属栅网并施加一定的电压将溢出的光电子从金属孔电极表面加速提取，减小低能的光电子与样品中的分子发生共振被捕获后产生负离子，获得高能的电子在电离区与样品发生碰撞电离而产生正离子，正离子被探测器检测，为了增加高能光电子与样品分子在电离区的碰撞电离效率，在电离区设置了磁铁。 |
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