| 专利名称 | 一种CuInS2/In2S3/ZnS双层核壳结构荧光量子点及其制备方法 | 申请号 | CN201510249711.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104861964A | 公开（授权）日 | 2015.08.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 徐雪青;王欣;谢德辉;梁柱荣 | 主分类号 | C09K11/62(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/62(2006.01)I;C09K11/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CuInS2/In2S3/ZnS双层核壳结构荧光量子点及其制备方法 至一种CuInS2/In2S3/ZnS双层核壳结构荧光量子点及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 针对目前CuInS2量子点存在的不足，本发明提供一种CuInS2/In2S3/ZnS双层核壳结构荧光量子点，以CuInS2为核，In2S3为包覆核的第一壳层，ZnS为包覆第一壳层的第二壳层。此外，本发明提供一种上述CuInS2/In2S3/ZnS双层核壳结构荧光量子点的制备方法，采用双配位稳定剂合成CuInS2量子点，且采用硫代磷酸铟为In2S3壳层的单分子前驱体。 |
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