| 专利名称 | SOI器件 | 申请号 | CN201520311982.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204558469U | 公开（授权）日 | 2015.08.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;钟健;张严波 | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | SOI器件 至SOI器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种SOI器件。一示例器件可以包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层、埋入绝缘层和基底衬底中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中，后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂，而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。利用这种后退阱，可以在沟道区形成较薄的耗尽层，尽管SOI层可能较厚。另一方面，通过与后退阱电耦合的背栅，可以控制器件的阈值电压。 |
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