| 专利名称 | 自支撑三维器件 | 申请号 | CN201520005423.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204529302U | 公开（授权）日 | 2015.08.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘哲;李俊杰;崔阿娟;李无瑕;顾长志 | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 自支撑三维器件 至自支撑三维器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种自支撑三维器件，包括：具有窗口的基底；自支撑的绝缘介质薄膜，该绝缘介质薄膜形成在基底上并覆盖窗口，并且该绝缘介质薄膜具有：在一延伸平面内延伸的主体部；和从主体部切出的至少一个悬空部，悬空部与主体部成局部连接并偏离出主体部的延伸平面；在每一悬空部上形成的器件单元，该器件单元具有预定图案。本实用新型在自支撑的绝缘介质薄膜制备出了具有三维结构且相互绝缘的微纳器件，避免了微纳器件在外加电磁场激发时各个单元之间存在短接的问题。此外，本实用新型的自支撑三维器件可以批量生产，从而得到具有相同或不同微纳米功能结构的自支撑三维器件阵列。 |
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