| 专利名称 | 一种应力传感器及制作方法 | 申请号 | CN201510073321.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104819789A | 公开（授权）日 | 2015.08.05 | 申请（专利权）人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 何洪文;孙鹏;曹立强;上官东恺;豆传国;杨恒;吴燕红 | 主分类号 | G01L1/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G01L1/18(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种应力传感器及制作方法 至一种应力传感器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。 |
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