| 专利名称 | 高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201510102429.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104810114A | 公开（授权）日 | 2015.07.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 范琳;温钰;杨士勇 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用 至高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用。该导电薄膜利用射频磁控溅射技术，以兼具高透明和高耐热特性的柔性PI薄膜为基底，采用高温两步法沉积ITO导电层制备得到，该导电薄膜兼具低电阻率和高透明性的特点，电阻率低于6.4×10-4Ω·cm，可见光区平均透过率高于80％，且黄度指数小于9，在柔性太阳能电池、柔性显示器、电子书、电子标签、光电传感器等光电器件的制造中具有重要的应用价值。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障