| 专利名称 | 超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法 | 申请号 | CN201510141166.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104795252A | 公开（授权）日 | 2015.07.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 王晓辉;胡敏敏;李昭进;张辉;胡涛 | 主分类号 | H01G11/86(2013.01)I | IPC主分类号 | H01G11/86(2013.01)I | 专利有效期 | 超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法 至超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及超级电容器领域，具体为一种超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法。采用无压烧结的多孔Ti3AlC2块体作为前驱体，通过HF选择性刻蚀Al层得到Ti3C2粉末，将Ti3C2粉末超声处理得到超薄二维Ti3C2片层悬浮液，将此悬浮液均匀涂覆到多孔导电基底上，低温烘干制成复合型超级电容器电极。以离子通透膜作为隔膜，将制备的电极组装成对称型超级电容器，在酸性电解液中进行电化学性能测试。在无任何添加剂的情况下，这种通过简易的滴加涂覆-低温烘干自组装方式制得的Ti3C2纳米片-多孔导电基体的复合电极，极大地提高了以Ti3C2纳米片为基的电极的导电性能。而且，所制得的超级电容器具有高的比容量、优良的倍率性能和循环使用寿命，具有非常好的应用前景。 |
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