| 专利名称 | GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法 | 申请号 | CN201510175330.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104795461A | 公开（授权）日 | 2015.07.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 徐建星;査国伟;张立春;魏思航;倪海桥;贺振宏;牛智川 | 主分类号 | H01L31/119(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/119(2006.01)I | 专利有效期 | GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法 至GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO2薄膜；在SiO2薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO2薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。 |
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