| 专利名称 | 化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法 | 申请号 | CN201510166863.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104762611A | 公开（授权）日 | 2015.07.08 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 张倩;杨春雷;顾光一;熊治雨;王婷婷;程亚;肖旭东 | 主分类号 | C23C18/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C18/00(2006.01)I | 专利有效期 | 化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法 至化学浴沉积设备和制备ZnS薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化学浴沉积设备，包括反应器皿和化学浴锅，所述反应器皿置于所述化学浴锅中，所述反应器皿用于放置基片和反应液，在反应过程中，所述基片的反应面持续反复地、分部分地逐渐露出所述反应液的液面，并受到所述反应液的冲刷。该化学浴沉积设备，在化学浴沉积过程中基片的反应面持续反复地、分部分地逐渐露出所述反应液的液面，且受到反应液的冲刷，有利于快速制备薄膜材料，可应用于薄膜太阳能电池缓冲层如In2S3，In(OH)3，ZnS，CdS，Zn(1-x)MgxO，ZnSe，ZnO等的制备，制得的薄膜厚度可控、缺陷少、均匀致密，从而提高薄膜太阳能电池的效率，并降低薄膜太阳能电池的制造成本。此外，本发明还提供了一种制备ZnS薄膜的方法。 |
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