| 专利名称 | 一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法 | 申请号 | CN201510140125.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104761252A | 公开（授权）日 | 2015.07.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 陆亚林;黄妍;彭冉冉;傅正平;翟晓芳 | 主分类号 | C04B35/453(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法 至一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷，如式(I)所示：Bi10Fe5.9Co0.1Ti3O30(I)。其具有较高的居里温度，在室温下同时具有铁电性和铁磁性，并具有本征的交换偏置效应。不仅可以磁场调控，还可实现电场调控，提供了同时利用电极化和磁极化来编码储存信息的可能性，进而使超高存储密度的磁电互控非易失存储磁性介质成为可能。 |
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