| 专利名称 | 一种2,2’-二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201510163314.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104774318A | 公开（授权）日 | 2015.07.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 于贵;黄剑耀;刘晓彤;毛祖攀;张卫锋;高冬 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种2,2’-二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用 至一种2,2’-二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明提供一种2,2’-二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与其场效应晶体管中的应用。所述2,2’-二(苯并噻吩)乙烯聚合物的结构式如式Ⅰ所示。R为C1～C60的直链或支链烷基。本发明还提供了式Ⅰ所示聚合物的制备方法。本发明的2,2’-二(苯并噻吩)乙烯聚合物合成路线简单高效。以本发明二(苯并噻吩)乙烯为共聚单元的聚合物半导体层制备的PFET的迁移率(μ)最高为0.1cm2V-1s-1和开关比为105～107，在PFET中有一定的应用前景。 |
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