| 专利名称 | 一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201510163315.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104774319A | 公开（授权）日 | 2015.07.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 于贵;黄剑耀;刘晓彤;毛祖攀;张卫锋;高冬 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C07D333/54(2006.01)I;C07F7/22(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用 至一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种二(苯并噻吩)乙烯聚合物及其制备方法与应用。所述聚合物的结构如式Ⅰ或式Ⅰ’所示，其中，R为C1～C60的直链或支链烷基。本发明还公开了所述聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他各种取代基取代的基于二(苯并噻吩)乙烯化合物的聚合物的合成。以本发明基于二(苯并噻吩)乙烯的聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为5.79cm2V-1s-1，开关比大于106；在PFET器件中有良好的应用前景。 |
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