| 专利名称 | 多晶X射线衍射-光催化联用原位表征分析系统 | 申请号 | CN201510120892.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104764760A | 公开（授权）日 | 2015.07.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 何荔;毕迎普;杨培菊;任伟;焦正波;牛建中 | 主分类号 | G01N23/207(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/207(2006.01)I | 专利有效期 | 多晶X射线衍射-光催化联用原位表征分析系统 至多晶X射线衍射-光催化联用原位表征分析系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及多晶X射线衍射-光催化联用原位表征分析系统，包括多晶X射线衍射仪、气相色谱仪、太阳能模拟器和置于多晶X射线衍射仪样品台上的光催化反应器，光催化反应器由试样架和与样品台相连的外罩组成；外罩包括其上设有窗口、进气口和出气口的不锈钢空心筒体和与筒体底端相连的不锈钢底板；窗口开在筒体的正上方并延伸至筒体两侧；进气口通过减压阀、气体流量计与置于多晶X射线衍射仪外部的气瓶相连，出气口通过气体流量计与置于多晶X射线衍射仪外部的气相色谱仪的进样系统相连；太阳能模拟器置于多晶X射线衍射仪内部，其光纤口位于光催化反应器窗口的正上方。本发明解决了光催化反应过程中半导体材料晶体变化的原位分析问题。 |
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