| 专利名称 | 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 | 申请号 | CN201520005486.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204441292U | 公开（授权）日 | 2015.07.01 | 申请（专利权）人 | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;李巍;李百泉;肖红领;殷海波;冯春;姜丽娟;邱爱芹;王翠梅;介芳 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 至氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在所述衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60?m；一缓冲层，该缓冲层制作在所述成核层上面；一氮化铟沟道层，该氮化铟沟道层制作在所述缓冲层上面，厚度为0.6-5nm；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在所述氮化铟沟道层上面，厚度为0.7-5nm；一势垒层，该势垒层制作在所述氮化铝插入层上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在所述势垒层上面，厚度为1-5nm。通过引入氮化铟沟道层，形成限制沟道电子的背势垒，提高对二维电子气限制能力，提高栅调控能力，降低缓冲层漏电，抑制器件的短沟道效应。 |
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