| 专利名称 | 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 | 申请号 | CN201520005583.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204441290U | 公开（授权）日 | 2015.07.01 | 申请（专利权）人 | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;李巍;肖红领;冯春;姜丽娟;殷海波;王翠梅;李百泉 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 至一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种InxAl1-xN/AlN?复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60?m；一高阻层，该高阻层制作在成核层上面；一高迁移率层，该高迁移率层制作在高阻层上面；一InxAl1-xN/AlN复合势垒层，该复合势垒层制作在高迁移率层上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在InxAl1-xN/AlN复合势垒层上面，厚度为1-5nm。通过引入高铝组分的InxAl1-xN/AlN?复合势垒层，即使在复合势垒层较薄时，仍具有更高的二维电子气面密度，约为相同条件下传统铟铝氮/氮化镓高电子迁移率晶体管结构的1.5-2倍。 |
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