| 专利名称 | 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的微型晶体生长炉 | 申请号 | CN201520023952.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204438798U | 公开（授权）日 | 2015.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 殷绍唐;张德明;孙彧;张庆礼;孙敦陆 | 主分类号 | F27B17/02(2006.01)I | IPC主分类号 | F27B17/02(2006.01)I;G01N23/20(2006.01)I | 专利有效期 | 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的微型晶体生长炉 至同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的微型晶体生长炉 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种同步辐射?-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构原位实时测量设备领域，该生长炉结构合理，能实现晶体生长时对晶体、边界层和熔体等区域的微观结构的原位、实时观测。 |
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