| 专利名称 | 同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉 | 申请号 | CN201520023885.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204438797U | 公开（授权）日 | 2015.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 张德明;殷绍唐;孙彧;张庆礼;孙敦陆 | 主分类号 | F27B17/02(2006.01)I | IPC主分类号 | F27B17/02(2006.01)I;G01N23/20(2006.01)I | 专利有效期 | 同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉 至同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种同步辐射?-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉，属于物质在晶体生长时非固态微观生长基元粒径大小的原位实时测量设备领域。通过本微型晶体生长炉能实现对晶体生长时边界层和熔体中微观生长基元的粒径进行原位、实时观测，且，又能测量到两区域内微观生长基元粒径的大小。 |
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