| 专利名称 | 铋层状结构压电陶瓷及其制备方法以及提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的方法 | 申请号 | CN201510116742.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104725045A | 公开（授权）日 | 2015.06.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 周志勇;李玉臣;董显林 | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 铋层状结构压电陶瓷及其制备方法以及提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的方法 至铋层状结构压电陶瓷及其制备方法以及提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及铋层状结构压电陶瓷及其制备方法以及提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的方法，所述铋层状结构压电陶瓷包括主相和作为第二相的具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒，其中，主相包括Na0.5Bi2.5Nb2O9、Bi3TiNbO9、CaBi2Nb2O9和/或Bi4Ti3O12，第二相与主相的重量比≤10%，优选在1～5%之间。采用本发明提出的新方法，通过氧化物掺杂在晶界处形成第二相、调控微结构，可以在有效提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的同时，协同优化其介电和压电性能，为制备出满足高温压电振动传感器用铋层状结构压电陶瓷提供了新途径。 |
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