| 专利名称 | 一种用于光刻机的光源掩模优化方法 | 申请号 | CN201510097250.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104714372A | 公开（授权）日 | 2015.06.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 闫观勇;李思坤;王向朝 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于光刻机的光源掩模优化方法 至一种用于光刻机的光源掩模优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于光刻机的光源掩模优化方法，光源由对称的子光源组成，优化方法是梯度法。计算目标函数F对光源或掩模的梯度，包含计算目标函数F对空间像的梯度及计算空间像对光源或掩模的梯度两部分。采用使目标函数F最优的阈值进行掩模二值化。本发明适用于图形误差、光刻机工艺窗口、掩模误差增强因子等多种目标函数F，得到的对称光源保证了光刻机的远心性能，减少了掩模二值化对目标函数F的损失，有效提高了光刻成像质量。 |
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