| 专利名称 | 一种FinFet器件源漏外延设备 | 申请号 | CN201520039123.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204391059U | 公开（授权）日 | 2015.06.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;崔虎山;殷华湘;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 专利有效期 | 一种FinFet器件源漏外延设备 至一种FinFet器件源漏外延设备 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种FinFet器件源漏外延设备，其包括：主腔室；至少一个装片室；中转腔，中转腔内设置有机械手臂；至少一个腐蚀腔，腐蚀腔中设置有石墨基座；至少一个外延反应腔；用于向主腔室、装片室、中转腔、腐蚀腔和外延反应腔中供应气体的气体分配装置；用于给设备抽真空的抽真空装置；装片室、中转腔、腐蚀腔和外延反应腔均位于主腔室中。本实用新型提供的FinFet器件源漏外延设备通过将腐蚀腔和外延反应腔集成到一起，可以在隔绝水氧的条件下进行外延反应前晶圆表面自然氧化层的去除，能更好的隔绝水氧与晶圆表面的接触，避免了晶圆表面再次生成自然氧化层，提高了外延工艺的选择性以及器件的可靠性。 |
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