| 专利名称 | 一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法 | 申请号 | CN201410854544.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104698514A | 公开（授权）日 | 2015.06.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 唐成春;李俊杰;姜倩晴;顾长志;全保刚;金爱子 | 主分类号 | G02B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B3/00(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法 至一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法，包括如下步骤：1)清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属；2)在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层，并进行前烘；3)在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光；4)对曝光后的HSQ层进行显影定影；5)用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属；6)用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。本发明的方法简单灵活，能够实现金刚石表面大面积的凸球结构制备，在金刚石NV色心单光子器件等方面有潜在应用。 |
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