| 专利名称 | 小型化、集成化的硅基场发射-接收器件 | 申请号 | CN201510094671.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104658831A | 公开（授权）日 | 2015.05.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | 专利有效期 | 小型化、集成化的硅基场发射-接收器件 至小型化、集成化的硅基场发射-接收器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。 |
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