| 专利名称 | 碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 | 申请号 | CN201510094613.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104658830A | 公开（授权）日 | 2015.05.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 至碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一SiC纳米尖端结构，其制作在n型SiC衬底上表面，其与n型SiC衬底的材料相同；一AlN冷阴极薄膜，其制作在SiC纳米尖端结构的上表面；一电压源，其正极与AlN冷阴极薄膜连接，负极与n型金属电极连接；一金属阳极，其位于AlN冷阴极薄膜的上面，且不与AlN冷阴极薄膜接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极连接n型金属电极。本发明是利用负电子亲和势进行电子发射，进一步提高电子发射密度。 |
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