| 专利名称 | 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 | 申请号 | CN201510094612.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104658829A | 公开（授权）日 | 2015.05.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | 专利有效期 | 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 至阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。 |
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