基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器及其制法

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专利名称 基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器及其制法 申请号 CN201310597328.1 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN104655703A 公开(授权)日 2015.05.27 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 常虎成;王明芳;何冬青;封心建 主分类号 G01N27/416(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/416(2006.01)I 专利有效期 基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器及其制法 至基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器及其制法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种基于在低电位氧化过氧化氢的电流型传感器及其制法。该传感器包括传感器基体,并且所述传感器基体上还修饰有主要由铑纳米颗粒与石墨烯(RGO)复合形成的铑/石墨烯复合物;其制法包括:取RGO的水分散系与可溶性铑盐的水溶液均匀混合后,再加入用以将铑离子还原成单质的还原剂,充分反应后,分离出其中的固形物,获得主要由铑纳米颗粒与石墨烯复合形成的铑/石墨烯复合物;以及,将所述铑/石墨烯复合物负载到传感器基体上,获得所述电流型传感器。本发明传感器是基于氧化过氧化氢的电流实现检测,具有检测电位低(0.1V),检测下限低(1?M),线性范围宽和稳定性好(如,耐酸碱,不受氧气干扰)等优点,且其制备工艺简单,成本低。

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