| 专利名称 | 红光LED倒装芯片的制作方法 | 申请号 | CN201510062353.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104638097A | 公开（授权）日 | 2015.05.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李璟;杨华;王国宏;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/62(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/62(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I | 专利有效期 | 红光LED倒装芯片的制作方法 至红光LED倒装芯片的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种红光LED倒装芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：采用激光钻孔工艺在基板上得到两个通孔；步骤2：在两个通孔的侧壁制备金属，形成导电通孔；步骤3：在两个通孔上下面的周围制作金属电极，使上下面的金属电极连通；步骤4：将一红光LED垂直结构芯片固晶在基板上的一通孔上，使红光LED垂直结构芯片与通孔上的金属电极连接；步骤5：在红光LED垂直结构芯片的周围及上面制备绝缘层，并暴露出红光LED垂直结构芯片上的P电极；步骤6：在红光LED垂直结构芯片上的P电极及基板上的另一通孔上的金属电极之间制备导电电极，形成基片；步骤7：将基片进行封胶，完成制备。 |
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