一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用

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专利名称 一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用 申请号 CN201510030729.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN104637776A 公开(授权)日 2015.05.20 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国航天员科研训练中心 发明(设计)人 肖军徽;李铁;黄刚;刘延祥;王跃林 主分类号 H01J49/10(2006.01)I IPC主分类号 H01J49/10(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01N27/62(2006.01)I;H01J49/42(2006.01)I 专利有效期 一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用 至一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用,其特征在于所述的圆柱形离子阱由两个端盖电极硅片与圆柱形电极硅片分两次键合形成一体式结构。所述一体式结构是由三个硅片通过两次键合而成,其中上下层两个硅片是端盖电极,通过湿法腐蚀、硅深刻蚀以及溅射金属等工艺制备,中间层硅片是圆柱形电极,通过刻蚀通孔以及溅射金属等工艺形成。本发明工艺步骤少,工艺难度较低,成品率高,在质谱仪微小型化领域有着广泛的应用前景。可望应用于微小型质谱仪,检测不明危险物的检测、野外实时分析、密闭环境的检测或工业多点轮测。

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