| 专利名称 | 一种复合离子镀膜机 | 申请号 | CN201420813833.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204325479U | 公开（授权）日 | 2015.05.13 | 申请（专利权）人 | 成都中科唯实仪器有限责任公司 | 发明（设计）人 | 蒙志林;魏琼林;冉从军;何吉刚;马宁 | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种复合离子镀膜机 至一种复合离子镀膜机 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种复合离子镀膜机，包括镀膜圆形真空室，所述镀膜圆形真空室的顶部设置有Ta-HCD电子枪，所述镀膜圆形真空室的侧面圆周上设置有呈螺旋形分布的多个多弧/磁控可转换靶座。本实用新型在镀膜圆形真空室的侧面圆周上螺旋分布有多个多弧/磁控源可任意便捷进行转换的靶座结构，可以以多种不同的结构形式安装多弧阴极靶或磁控溅射靶，从而可分别或同时实现蒸发或溅射，且在镀膜圆形真空室的顶部设置了Ta-HCD电子枪，既能满足多弧蒸发与磁控溅射这两种方法在使用时膜层质量上的优势，又能在此基础上提高绕射性和膜层均匀性，具有更高的生产效率。 |
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