| 专利名称 | 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片 | 申请号 | CN201420770646.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204332968U | 公开（授权）日 | 2015.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 曹高奇;唐恒敬;王云姬;李雪;邵秀梅;程吉凤;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片 至一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiNx)钝化层，P电极及加厚电极(8)。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长氮化硅钝化膜。本专利的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表面态密度，且表面形成的硫化膜能够避免表面再次被氧化；工艺对材料表面损伤小，薄膜致密、与衬底之间应力匹配，元素成键状态好，钝化效果优。 |
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