| 专利名称 | 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201510030113.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104611670A | 公开（授权）日 | 2015.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张立春;王国伟;张宇;徐应强;倪海桥;牛智川 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 至一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；对所沉积的薄膜样品进行退火处理。本发明无需高温退火处理，既保证了氧化钒薄膜制备与MEMS工艺和集成电路工艺的兼容性，又可以得到电阻率适中的氧化钒薄膜材料，可满足高性能氧化钒基非制冷型红外探测器的要求。 |
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