| 专利名称 | 一种纳米线及阵列的形成方法 | 申请号 | CN201310542253.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104609360A | 公开（授权）日 | 2015.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 洪培真;马小龙;殷华湘;徐秋霞;李俊峰;赵超 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种纳米线及阵列的形成方法 至一种纳米线及阵列的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种纳米线的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底上具有硬掩膜；刻蚀步骤与钝化步骤交替进行，以形成糖葫芦形貌，其中，钝化步骤包括：进行氧化，以形成钝化层；去除半导体衬底表面的钝化层；而后，氧化糖葫芦形貌并进行释放，以形成纳米线。本发明中，进行钝化步骤，以在每次刻蚀完成后，在已形成的糖葫芦形貌的侧壁上形成钝化层，这样，在下一刻蚀周期保护已形成的糖葫芦形貌的侧壁，并减少聚合物的产生，工艺造价低且简单易行。 |
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