| 专利名称 | 用于太阳能电池的硅片 | 申请号 | CN201420441064.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204311157U | 公开（授权）日 | 2015.05.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘尧平;王燕;杨丽霞;梅增霞;陈伟;梁会力;库兹涅佐夫·安德烈;杜小龙 | 主分类号 | C30B33/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/10(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 专利有效期 | 用于太阳能电池的硅片 至用于太阳能电池的硅片 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种用于太阳能电池的硅片。该硅片具有制绒表面，制绒表面具有多个倒金字塔状凹坑，凹坑的底部呈圆滑状。采用酸性制绒液对硅片表面进行制绒，在较低温度和较短时间内形成了独立、完整且紧密排布的微米尺寸倒金字塔结构的制绒表面。该制绒表面的倒金字塔状凹坑结构能够将入射光的反射率降至5％～15％，提高了太阳能电池效率。此外，双面制备倒金字塔凹坑非常有利于制备HIT这样的对称结构电池。本实用新型的倒金字塔状凹坑结构不局限于HIT及常规扩散电池的制备中，还可以应用在其它使用硅衬底的太阳能电池及光电子器件中。 |
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