| 专利名称 | 自支撑三维器件及其制备方法 | 申请号 | CN201510002824.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104599979A | 公开（授权）日 | 2015.05.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘哲;李俊杰;崔阿娟;李无瑕;顾长志 | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 专利有效期 | 自支撑三维器件及其制备方法 至自支撑三维器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种自支撑三维器件及其制备方法。包括：S1：提供一具有基本平坦的上表面的自支撑绝缘介质薄膜；S2：在绝缘介质薄膜的上表面上形成导电层和至少一个具有预定图案的器件单元，以形成一复合层结构；S3：对复合层结构进行切割，以得到至少一个与复合层结构成局部连接的悬空部；每一悬空部具有对应的一个器件单元；S4：采用离子束辐照悬空部使得导电层发生变形，从而带动悬空部绕其与复合层结构的局部连接部向远离绝缘介质薄膜的方向弯曲；S5：去除至少一部分导电层，得到绝缘的自支撑三维器件。该方法可在绝缘介质薄膜上制备三维结构且相互绝缘的微纳器件，具有可控性好、成本低且可大面积制备的优点。 |
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