| 专利名称 | 一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统 | 申请号 | CN201510050788.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104599805A | 公开（授权）日 | 2015.05.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王秋良;胡新宁;戴银明 | 主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统 至一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，由6个NbTi和2个Nb3Sn线圈以不同的空间位置和电流密度分布构成。磁体系统产生中心强度为16T磁场分布，满足太赫兹(THz)器件所要求的磁场均匀区长度为200mm和阴极区磁场强度为3000高斯的要求。整体超导线圈电磁设计由内到外径向电流密度逐渐增大。内层主线圈高磁场部分采用Nb3Sn超导线材，外层校正线圈使用线径由内到外逐渐减小的多种NbTi超导线组合。本发明采用分布式微流与分布式Litz高热导的固体丝与制冷机相连接，实现系统的整体冷却。 |
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