| 专利名称 | 一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法 | 申请号 | CN201410840455.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104599940A | 公开（授权）日 | 2015.05.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 顾长志;姜倩晴;唐成春;李无瑕;金爱子;李俊杰 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法 至一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法，包括步骤如下：步骤S1：对待加工样品的表面做预处理；步骤S2：将待加工样品粘到聚焦电子/离子束双束系统的样品托上；步骤S3：将粘好待加工样品的样品托固定到聚焦电子/离子束双束系统的样品架上，对样品腔室抽真空；在聚焦电子/离子束双束系统的电子束下将待加工样品表面需要加工二次微曲面结构的位置调整到聚焦电子束与离子束共轴的位置；步骤S4：在合适的聚焦离子束系统成像放大倍数下，选择离子束加速电压与刻蚀束流大小，在待加工样品上需要进行二次微曲面结构加工的位置，按照设定刻蚀图形文件刻蚀加工二次微曲面结构。 |
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