| 专利名称 | 基于BCB键合工艺的耦合器结构 | 申请号 | CN201420838949.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204302527U | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 盛振;甘甫烷;武爱民;仇超;王智琪 | 主分类号 | G02B6/136(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/136(2006.01)I;G02B6/42(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I | 专利有效期 | 基于BCB键合工艺的耦合器结构 至基于BCB键合工艺的耦合器结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III-V族光增益结构及与所述III-V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本实用新型实现了III-V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。 |
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