专利名称 | 磁共振射频匀场系统 | 申请号 | CN201420815499.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开(公告)号 | CN204302474U | 公开(授权)日 | 2015.04.29 | 申请(专利权)人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 陈潇;欧航;李烨;刘新;胡小情 | 主分类号 | G01R33/38(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R33/38(2006.01)I | 专利有效期 | 磁共振射频匀场系统 至磁共振射频匀场系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种磁共振射频匀场系统,该系统包括:2n个单独激励脉冲源,用于产生脉冲信号,其中,n为正整数;2n个调整电路,与所述2n个单独激励脉冲源相连,用于对来自所述单独激励脉冲源的脉冲信号进行处理;发射线圈,所述脉冲信号经过所述2n个调整电路后,连接至所述发射线圈,在脉冲信号的激励下,所述发射线圈发射电磁波;其中,所述2n个单独激励脉冲源和所述2n个调整电路可选择地连入所述射频匀场系统中,以形成预定通道数和源数的射频匀场系统。本实用新型解决了现有技术中射频匀场系统调控自由度少且高场射频匀场能力不够的技术问题,具有良好的系统可移植性和适用性、达到了提高匀场系统调控自由度和射频匀场能力的技术效果。 |
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