| 专利名称 | 一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201510044104.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104562205A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 赵奇;袁晖;周尧;熊巍;陈良 | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法 至一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法，所述硅酸铋闪烁晶体掺杂有F-和Ba2+。F-离子和Ba2+离子的掺入，在一定程度上补偿了晶体内部局域电荷的不平衡；并且，F可打断硅氧四面体间桥氧并置换桥氧而进入BSO熔体，可减小硅氧集团层间的束缚力，从而降低BSO熔体粘度并减少宏观缺陷。 |
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