| 专利名称 | MEMS扫描振镜的磁场系统 | 申请号 | CN201310479059.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104570332A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 沈文江;余晖俊 | 主分类号 | G02B26/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B26/10(2006.01)I | 专利有效期 | MEMS扫描振镜的磁场系统 至MEMS扫描振镜的磁场系统 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种MEMS扫描振镜的磁场系统，包括MEMS扫描振镜芯片和至少一个磁体组，所述的每个磁体组包括分别位于所述MEMS扫描振镜芯片上下两侧的上磁体和下磁体，所述的上磁体和下磁体的相对面磁极同性。本系统优化了永磁体与振镜的相对位置，可以使MEMS扫描振镜的驱动平面上的磁感应强度达到最大。 |
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