| 专利名称 | 同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉 | 申请号 | CN201510017797.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104567402A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 张德明;殷绍唐;孙彧;张庆礼;孙敦陆 | 主分类号 | F27B17/02(2006.01)I | IPC主分类号 | F27B17/02(2006.01)I;G01N23/20(2006.01)I | 专利有效期 | 同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉 至同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了同步辐射?-SAXS技术原位测量熔融法晶体生长基元粒径的方法，本方法基于同步辐射?-SAXS技术原位测量熔融法晶体生长时不同区域（边界层、熔体）中微观生长基元的粒径大小，获得晶体微观生长基元粒径从熔体到晶体的变化规律；本发明还提供了应用该方法的微型晶体生长炉，通过本微型晶体生长炉能实现对晶体生长时边界层和熔体中微观生长基元的粒径的原位观测。 |
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