| 专利名称 | 石墨烯的生长方法 | 申请号 | CN201310496579.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104562195A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;唐述杰;卢光远;吴天如;姜达;丁古巧;张学富;谢红;谢晓明;江绵恒 | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 石墨烯的生长方法 至石墨烯的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。 |
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