| 专利名称 | 一种石墨烯的保护掺杂方法 | 申请号 | CN201410809565.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104556003A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 黄德萍;姜浩;朱鹏;李占成;张永娜;高翾;史浩飞 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;C08G73/02(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;C08G73/06(2006.01)I;C08F138/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯的保护掺杂方法 至一种石墨烯的保护掺杂方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种石墨烯的保护掺杂方法，具体步骤如下：将导电高分子单体及其基体成分通过浸泡、旋涂或者蒸发的方式，均匀地分散在石墨烯层的表面，得到载有导电高分子单体或者辅助分子的石墨烯层；将所述载有导电高分子单体或者辅助分子的石墨烯薄膜放入氧化剂酸性溶液中进行导电高分子薄膜的生长,即在石墨烯层上原位合成了导电高分子层。本发明使得石墨烯的导电性能提升的同时，对石墨烯的表面进行保护，使得石墨烯表面能够承受一定程度的刮擦和触摸，且能够保持较好的导电性能，从而大力促进石墨烯薄膜在多个领域的应用推广。 |
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