| 专利名称 | 一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法 | 申请号 | CN201510051468.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104555950A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 史迅;郝峰;陈立东 | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法 至一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法，所述碲化铋材料的组成通式为CuxBi0.3Sb1.7-xTe3，其中0.005≤x≤0.02。本发明中碲化铋材料通过自掺杂及Cu掺杂有效提高了材料的载流子浓度，使得材料电性能得到显著优化，同时本征激发受到抑制。优化后的材料在550K附近温区的热电性能得到大幅提升。 |
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