| 专利名称 | 自支撑介质薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201510004085.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104555902A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘哲;李俊杰;顾长志;夏晓翔;杨海方 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 自支撑介质薄膜及其制备方法 至自支撑介质薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种自支撑介质薄膜及其制备方法。包括：提供第一衬底，并在第一衬底上依次形成第一和第二牺牲层；将第一衬底及第一和第二牺牲层置于液体溶剂中，将第一牺牲层溶解，从而使得第二牺牲层与第一衬底分离并悬浮在液体溶剂中；第二牺牲层为自支撑结构且能够以伸展状态悬浮在液体溶剂中；提供表面具有凹入部的第二衬底，并用其将第二牺牲层从液体溶剂中取出，使得第二牺牲层以伸展状态附着在第二衬底上；在第二牺牲层上形成介质薄膜层；至少去除第二牺牲层中与凹入部对应的部分，使得介质薄膜层中与凹入部对应的部分自支撑地覆盖凹入部。该方法工艺稳定、成本低、周期短、效率高且具有高度的灵活性和可操作性。 |
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