| 专利名称 | 一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法 | 申请号 | CN201310518366.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104555905A | 公开（授权）日 | 2015.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王逸群;姜春宇;付思齐;林文魁;王德稳;张宝顺 | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法 至一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属蒸汽反应物；S3通过气密胶键合，在缓冲气体存在下将第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧外环键合，形成气密的预腔室；S4升温以使碱金属蒸汽反应物反应产生碱金属蒸汽；S5通过阳极键合使第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧表面键合，形成各自独立封闭的原子蒸汽腔；以及S6划片，未置入碱金属蒸汽反应物的腔即为晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔。本发明的封装方法，完全兼容传统制造工艺，兼具单腔室的体积优势和双腔室蒸汽纯度高的优势。 |
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