| 专利名称 | 一种氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201410811907.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104532207A | 公开（授权）日 | 2015.04.22 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 宋志伟;褚卫国 | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 至一种氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种氮氧化硅膜材料及其制备方法：将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入NH3、O2气体和含有SiH4的气体作为反应气体，通入作为载体和保护气体，进行气相沉积，获得氮氧化硅膜材料；其中，化学气相沉积设备腔体的工作温度为100-260℃，工作压力为1-4Pa，功率为200-480W；其中，所述气相沉积的时间为4-6min；所述含有SiH4的气体与O2气体的体积比为9-110，所述含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为3-11，所述SiH4气体与氩气的体积比为0.5-2。本发明在四英寸硅基体上制备得到的氮氧化硅膜材料的厚度为100nm左右，薄膜不均匀性低于0.7％。 |
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