| 专利名称 | 薄膜晶体管 | 申请号 | CN201420762335.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204289466U | 公开（授权）日 | 2015.04.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张永晖;梅增霞;刘利书;梁会力;刘尧平;杜小龙 | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜晶体管 至薄膜晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种薄膜晶体管，包括沟道层、绝缘层、源极、漏极、栅极和调节电极，所述沟道层具有相对设置的第一表面和第二表面，所述源极和漏极位于所述沟道层的第一表面上，所述调节电极与所述沟道层的第一表面和第二表面中的一个表面电连接，所述绝缘层设置在所述沟道层的第一表面和第二表面中的另一个表面上，并位于所述栅极和所述沟道层之间。本实用新型的薄膜晶体管阈值电压可调、结构简单、成本低。 |
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