| 专利名称 | 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构 | 申请号 | CN201410729324.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104538484A | 公开（授权）日 | 2015.04.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 马英杰;张永刚;顾溢 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构 至一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P-型In0.52Al0.48As材料作为电子倍增层，失配的P-型InxGa1-xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53<x<1。本发明的器件结构可以在不牺牲倍增区材料质量的情况下，根据需要自由地将雪崩光电二极管的探测截止波长延伸到1.7-3.5μm之间。该器件结构适合于探测1-3.5μm波段的红外弱光信号，可以被广泛应用于如气体含量检测、医疗光谱检测、自由空间光通讯、卫星遥感与成像、导弹发动机尾焰探测等领域。 |
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