| 专利名称 | InGaN量子点的外延结构及生长方法 | 申请号 | CN201410784663.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104538524A | 公开（授权）日 | 2015.04.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;朱建军;江德生 | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | InGaN量子点的外延结构及生长方法 至InGaN量子点的外延结构及生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°-10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层，其生长在低温GaN缓冲层上，且其表面刻蚀有凹槽，使得该高温GaN层的表面为错开的台阶状形貌，其表面形成网格状结构；多个InGaN量子点，其分布生长在高温GaN层表面的网格状结构上；一GaN覆盖层，其生长在高温GaN层上，并覆盖多个InGaN量子点；多个InGaN量子点和GaN覆盖层，其依次重复生长在GaN覆盖层上。 |
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